职位描述
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工作区域：浙江-杭州-萧山区
岗位描述：
1、负责22nm工艺节点以下SRAM/Register File存储器电路设计与架构规划，包括bit cell、sense amplifier、row/column decoder等模块设计；
2、主导存储器性能、功耗、面积（PPA）优化及良率提升；完成电路仿真验证、版图指导及物理验证；
3、协同DFT团队实现存储器内建自测试（MBIST）方案，支持全芯片集成与流片。
任职要求：
1、5年以上SRAM/存储器电路设计经验，精通6T/8T bit cell及外围电路设计；
2、熟练使用HSPICE、Spectre、Custom Compiler等EDA工具；
3、具备先进工艺节点设计经验，熟悉FinFET工艺特性及物理效应；4、掌握低功耗设计技术、良率分析方法及存储器可靠性（老化/软错误）评估；有大型SoC存储器集成经验者优先。
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2、主导存储器性能、功耗、面积（PPA）优化及良率提升；完成电路仿真验证、版图指导及物理验证；
3、协同DFT团队实现存储器内建自测试（MBIST）方案，支持全芯片集成与流片。
任职要求：
1、5年以上SRAM/存储器电路设计经验，精通6T/8T bit cell及外围电路设计；
2、熟练使用HSPICE、Spectre、Custom Compiler等EDA工具；
3、具备先进工艺节点设计经验，熟悉FinFET工艺特性及物理效应；4、掌握低功耗设计技术、良率分析方法及存储器可靠性（老化/软错误）评估；有大型SoC存储器集成经验者优先。
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